| 型号： | IRL510S | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Vishay Siliconix | 描述： | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRL510S PDF |  |
| 产品目录绘图 | IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 540 毫欧 @ 3.4A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRL510S |